IXTY1R4N100P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTY1R4N100P

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTY1R4N100P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12820311
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTY1R4N100P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
63W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IXTY1

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IXT(A,P,Y)1R4N100P Building, Home Automation Appl Guide

معلومات إضافية

الباقة القياسية
70

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFN20N120P

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

littelfuse

IXFH1799

MOSFET N-CH TO-247AD

littelfuse

IXFX120N25P

MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3

littelfuse

IXFA26N30X3

MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA