رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTY1R6N50D2-TRL
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTY1R6N50D2-TRL-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 1.6A (Tj) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
13140393
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTY1R6N50D2-TRL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
Depletion
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.6A (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23.7 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
645 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IXTY1
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
238-IXTY1R6N50D2-TRLCT
238-IXTY1R6N50D2-TRLDKR
238-IXTY1R6N50D2-TRLTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTY01N100D-TRL
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
IXTA52P10P-TRL
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
IXTA1N200P3HV-TRL
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
