رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTY1R6N50D2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTY1R6N50D2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12820941
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTY1R6N50D2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Depletion
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23.7 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
645 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IXTY1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
اسماء اخرى
238-IXTY1R6N50D2-CRL
Q16282632
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTP230N075T2
MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
IXFK100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A TO264
IXKH20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
