IXTY4N65X2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTY4N65X2

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTY4N65X2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 4A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

70 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819386
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTY4N65X2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Ultra X2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
455 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
80W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IXTY4

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs Building, Home Automation Appl Guide

معلومات إضافية

الباقة القياسية
70
اسماء اخرى
-IXTY4N65X2

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXTP24P085T

MOSFET P-CH 85V 24A TO220AB

littelfuse

IXFK180N15P

MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA

littelfuse

IXTK88N30P

MOSFET N-CH 300V 88A TO264

littelfuse

IXFH50N30Q3

MOSFET N-CH 300V 50A TO247AD