رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MMIX1F230N20T
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
MMIX1F230N20T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 168A 24SMPD
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 168A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
المخزون:
12821905
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MMIX1F230N20T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
168A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
378 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
28000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
600W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
24-SMPD
العبوة / العلبة
24-PowerSMD, 21 Leads
رقم المنتج الأساسي
MMIX1F230
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
20
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH28N60P3
MOSFET N-CH 600V 28A TO247AD
IXFL60N80P
MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264
IXTQ36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO3P
