رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N1715S
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N1715S-DG
وصف:
POWER BJT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 750 mA Through Hole TO-39 (TO-205AD)
المخزون:
12979552
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N1715S المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
750 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
-
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
-
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-39 (TO-205AD)
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-2N1715S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANSL2N5154U3
RH POWER BJT
JANSP2N2906AUA
RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSP2N3498L
RH SMALL-SIGNAL BJT
