رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N3019S
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N3019S-DG
وصف:
TRANS NPN 80V 1A TO39
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
المخزون:
16 قطع جديدة أصلية في المخزون
13260021
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N3019S المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
50 @ 500mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
800 mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-39 (TO-205AD)
رقم المنتج الأساسي
2N3019
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N5153L
TRANS PNP 80V 2A TO5
2N3772
TRANS NPN 60V 0.005A TO3
JANSF2N2907AUB
TRANS PNP 60V 0.6A 3SMD
