رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N3780
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N3780-DG
وصف:
POWER BJT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 5 W Through Hole TO-5AA
المخزون:
13000942
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N3780 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
-
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
-
الطاقة - الحد الأقصى
5 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-5AA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-2N3780
التصنيف البيئي والتصدير
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DXTP07060BFGQ-7
PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
2N6193QFN/TR
POWER BJT
JANKCCD2N3501
RH SMALL-SIGNAL BJT
