رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N3879
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N3879-DG
وصف:
NPN TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 75 V 7 A 35 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
المخزون:
30 قطع جديدة أصلية في المخزون
13251185
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N3879 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
7 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
75 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.2V @ 400mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
4mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 500mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
35 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-213AA, TO-66-2
حزمة جهاز المورد
TO-66 (TO-213AA)
رقم المنتج الأساسي
2N3879
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANS2N3501L
TRANS NPN 150V 0.3A TO5
2N1486
TRANS NPN 55V 3A TO8
2N3868S
TRANS PNP 60V 0.003A TO39
