2N5970
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2N5970

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

2N5970-DG

وصف:

POWER BJT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 85 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

المخزون:

12983854
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2N5970 المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
15 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
-
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
-
الطاقة - الحد الأقصى
85 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-204AA, TO-3
حزمة جهاز المورد
TO-204AD (TO-3)

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-2N5970

التصنيف البيئي والتصدير

حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
microchip-technology

2N2780

POWER BJT

microchip-technology

JANSM2N5152

RH POWER BJT

microchip-technology

JANTX2N4033UA/TR

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N744

SMALL-SIGNAL BJT