رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APT18M80B
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
APT18M80B-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 19A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 19A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
المخزون:
13254232
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APT18M80B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 8™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
530mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3760 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 [B]
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
APT18M80
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFH16N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
295
DiGi رقم الجزء
IXFH16N80P-DG
سعر الوحدة
4.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPW11N80C3FKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2520
DiGi رقم الجزء
SPW11N80C3FKSA1-DG
سعر الوحدة
1.49
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
APT84F50L
MOSFET N-CH 500V 84A TO264
APT26M100JCU2
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
APT32F120J
MOSFET N-CH 1200V 33A ISOTOP
