APT24M120L
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

APT24M120L

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

APT24M120L-DG

وصف:

MOSFET N-CH 1200V 24A TO264
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 24A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 [L]

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13262093
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

APT24M120L المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 8™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
680mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8370 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1040W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-264 [L]
العبوة / العلبة
TO-264-3, TO-264AA
رقم المنتج الأساسي
APT24M120

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
APT24M120(B2,L)

معلومات إضافية

الباقة القياسية
25

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
microchip-technology

APTM20SKM04G

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

microsemi

2N6798

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39

microchip-technology

MSC035SMA070B

MOSFET N-CH 700V TO247

microchip-technology

APTM50SKM19G

MOSFET N-CH 500V 163A SP6