رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APT30F50S
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
APT30F50S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 415W (Tc) Surface Mount D3PAK
المخزون:
13256102
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APT30F50S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 8™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4525 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
415W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D3Pak
العبوة / العلبة
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
رقم المنتج الأساسي
APT30F50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFT30N50Q3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
30
DiGi رقم الجزء
IXFT30N50Q3-DG
سعر الوحدة
8.68
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTT36N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
247
DiGi رقم الجزء
IXTT36N50P-DG
سعر الوحدة
6.70
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTT30N50L2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
162
DiGi رقم الجزء
IXTT30N50L2-DG
سعر الوحدة
11.13
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVH4L070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
APT34N80LC3G
MOSFET N-CH 800V 34A TO264
NVH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
