APT5010B2LLG
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

APT5010B2LLG

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

APT5010B2LLG-DG

وصف:

MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 46A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13254380
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

APT5010B2LLG المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 7®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
46A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4360 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
520W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
T-MAX™ [B2]
العبوة / العلبة
TO-247-3 Variant
رقم المنتج الأساسي
APT5010

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
APT5010(B2,L)LL(G) High-Voltage Power Discretes and Modules

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
microsemi

APT7F80K

MOSFET N-CH 800V 7A TO220

microchip-technology

APTC90SKM60CT1G

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

microsemi

APT80SM120S

SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK

microsemi

JANSR2N7268U

MOSFET N-CH 100V 34A U1