رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APT66F60B2
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
APT66F60B2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
المخزون:
13260117
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APT66F60B2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 8™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
70A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13190 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1135W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
T-MAX™ [B2]
العبوة / العلبة
TO-247-3 Variant
رقم المنتج الأساسي
APT66F60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R6046FNZ1C9
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
278
DiGi رقم الجزء
R6046FNZ1C9-DG
سعر الوحدة
7.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPW60R075CPFKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
240
DiGi رقم الجزء
IPW60R075CPFKSA1-DG
سعر الوحدة
6.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCH104N60F-F085
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
86
DiGi رقم الجزء
FCH104N60F-F085-DG
سعر الوحدة
3.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
APT5010JLLU3
MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
APT1003RSLLG
MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK
APT60M60JLL
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP