APT80F60J
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

APT80F60J

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

APT80F60J-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 84A (Tc) 961W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

المخزون:

13253288
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

APT80F60J المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 8™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
84A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
598 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
23994 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
961W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
ISOTOP®
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
APT80F60

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
10

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXFN110N60P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
15
DiGi رقم الجزء
IXFN110N60P3-DG
سعر الوحدة
30.78
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
microchip-technology

APTM20DAM04G

MOSFET N-CH 200V 372A SP6

microchip-technology

APTM100UM45FAG

MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

microchip-technology

APT6025BLLG

MOSFET N-CH 600V 24A TO247

microsemi

APT35SM70B

SICFET N-CH 700V 35A TO247-3