رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APTM100UM65DAG
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
APTM100UM65DAG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 145A (Tc) 3250W (Tc) Chassis Mount SP6
المخزون:
13253158
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APTM100UM65DAG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
145A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
78mOhm @ 72.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 20mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1068 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
28500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SP6
العبوة / العلبة
SP6
رقم المنتج الأساسي
APTM100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
APT20M22JVRU3
MOSFET N-CH 200V 97A SOT227
APT10090BFLLG
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
MSC090SMA120B
MOSFET N-CH 1200V TO247