DN2625K4-G

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DN2625K4-G

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

DN2625K4-G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252

وصف تفصيلي:

N-Channel 250 V 1.1A (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)

المخزون:

5780 قطع جديدة أصلية في المخزون

12791313

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DN2625K4-G المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Microchip Technology

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

250 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

1.1A (Tj)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

0V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

3.5Ohm @ 1A, 0V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

-

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

7.04 nC @ 1.5 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1000 pF @ 25 V

ميزة FET

Depletion Mode

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

-

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

TO-252 (DPAK)

العبوة / العلبة

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

رقم المنتج الأساسي

DN2625

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,000

اسماء اخرى

DN2625K4-G-DG

DN2625K4-GDKR

DN2625K4-GTR

DN2625K4-GCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

3 (168 Hours)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

texas-instruments

CSD19535KCS

MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3

central-semiconductor

CDM2208-800FP SL PBFREE

MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP

comchip-technology

2N7002-G

MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3

texas-instruments

CSD19538Q3AT

MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON