رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DN3765K4-G
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
DN3765K4-G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
3653 قطع جديدة أصلية في المخزون
12815156
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DN3765K4-G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
300mA (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8Ohm @ 150mA, 0V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
825 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
DN3765
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
تجميع PCN / الأصل
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
DN3765K4-GTR
DN3765K4-GDKR
DN3765K4-GCT
DN3765K4-G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
SPD02N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
IRF7854TRPBF
MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
