رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JAN2N3767
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
JAN2N3767-DG
وصف:
TRANS NPN 80V 4A TO66
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
المخزون:
12927825
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JAN2N3767 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2.5V @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 500mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
25 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/518
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-213AA, TO-66-2
حزمة جهاز المورد
TO-66 (TO-213AA)
رقم المنتج الأساسي
2N3767
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
1086-20915
1086-20915-MIL
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANTXV2N5416U4
TRANS PNP 300V 1A U4
JANTXV2N6351
TRANS NPN DARL 150V 5A TO33
JAN2N4029
TRANS PNP 80V 1A TO18