رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JAN2N5796
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
JAN2N5796-DG
وصف:
NPN TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 600mW Through Hole TO-78-6
المخزون:
13251215
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JAN2N5796 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
600mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 150mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
600mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/496
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-78-6 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-78-6
رقم المنتج الأساسي
2N5796
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N6987
TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
JAN2N6987U
NPN TRANSISTOR
JAN2N5793
NPN TRANSISTOR