JANSD2N3810U
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

JANSD2N3810U

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

JANSD2N3810U-DG

وصف:

DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Surface Mount U

المخزون:

12981405
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

JANSD2N3810U المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
50mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 100µA, 1mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
150 @ 1mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
350mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/336
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, No Lead
حزمة جهاز المورد
U
رقم المنتج الأساسي
2N3810

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-JANSD2N3810U

التصنيف البيئي والتصدير

حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
microchip-technology

MSR2N3810

DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANSR2N2920L

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N5795A

DUAL SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

MSR2N2369AU

RH DUAL - SMALL-SIGNAL BJT