رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JANSD2N5152L
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
JANSD2N5152L-DG
وصف:
RH POWER BJT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 1 W Through Hole TO-5AA
المخزون:
12982592
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JANSD2N5152L المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
Military, MIL-PRF-19500/544
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 500mA, 5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 2.5A, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-5AA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-JANSD2N5152L
التصنيف البيئي والتصدير
حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MSR2N2222AUBC
RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSM2N3501
RH SMALL-SIGNAL BJT
JAN2N2222AUBP
SMALL-SIGNAL BJT