رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JANSH2N3439U4/TR
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
JANSH2N3439U4/TR-DG
وصف:
RH POWER BJT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Surface Mount U4
المخزون:
12986011
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JANSH2N3439U4/TR المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
350 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 4mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
2µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 20mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
800 mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
3-SMD, No Lead
حزمة جهاز المورد
U4
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
150-JANSH2N3439U4/TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N6271
POWER BJT
2N3439U4/TR
POWER BJT
JANSF2N3637UB/TR
RH SMALL-SIGNAL BJT
