رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JANSP2N3810
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
JANSP2N3810-DG
وصف:
DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
المخزون:
12980978
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JANSP2N3810 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
50mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 100µA, 1mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
150 @ 1mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
350mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/336
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-78-6 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-78-6
رقم المنتج الأساسي
2N3810
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-JANSP2N3810
التصنيف البيئي والتصدير
حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANSD2N3810L
DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT
JANSL2N3810U
DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT
2N5793AU
DUAL SMALL-SIGNAL BJT