LP1030DK1-G

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

LP1030DK1-G

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

LP1030DK1-G-DG

وصف:

MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 300V Surface Mount SOT-23-5

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12816956

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

LP1030DK1-G المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Microchip Technology

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 P-Channel (Dual)

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

300V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

-

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

180Ohm @ 20mA, 7V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.4V @ 1mA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

-

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

10.8pF @ 25V

الطاقة - الحد الأقصى

-

درجة حرارة التشغيل

-25°C ~ 125°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

SC-74A, SOT-753

حزمة جهاز المورد

SOT-23-5

رقم المنتج الأساسي

LP1030

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

تجميع PCN / الأصل

Fab Site Addition 14/Aug/2014

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

fairchild-semiconductor

FDZ2553N

MOSFET 2N-CH 20V 9.6A 18BGA

fairchild-semiconductor

NDS8936

MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC

sanyo

EMH2412-TL-H

MOSFET 2N-CH 24V 6A SOT383FL

fairchild-semiconductor

FDW2511NZ

MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP