رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MNS2N3810U/TR
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
MNS2N3810U/TR-DG
وصف:
DUAL SMALL-SIGNAL BJT
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
المخزون:
12997428
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MNS2N3810U/TR المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
50mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 100µA, 1mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
150 @ 1mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
350mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/336
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-78-6 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-78-6
رقم المنتج الأساسي
2N3810
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-MNS2N3810U/TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CTLM7410-M832D BK
TRANSISTOR
CTLM7410-M832D TR
TRANSISTOR
GSBC847PN
TRANSISTOR, DUAL, 0.1A, 50V, SOT