رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MSC080SMA120SA
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
MSC080SMA120SA-DG
وصف:
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount TO-263-7
المخزون:
12975474
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MSC080SMA120SA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 15A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+23V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
838 pF @ 1000 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
182W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263-7
العبوة / العلبة
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
رقم المنتج الأساسي
MSC080
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
150-MSC080SMA120SA
التصنيف البيئي والتصدير
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMPB45EPAX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN
MCQ12N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOP-8
ISC010N06NM5ATMA1
OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU