MSC70SM120JCU2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

MSC70SM120JCU2

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

MSC70SM120JCU2-DG

وصف:

SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 89A (Tc) 395W (Tc) Chassis Mount SOT-227 (ISOTOP®)

المخزون:

12973320
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

MSC70SM120JCU2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
89A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
31mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.8V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
232 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+25V, -10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3020 pF @ 1000 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
395W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227 (ISOTOP®)
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
MSC70SM120JCU2

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
13
اسماء اخرى
150-MSC70SM120JCU2

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SQ4050EY-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC

panjit

PJA3440_R1_00001

SOT-23, MOSFET

panjit

PJD80N04_L2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

rohm-semi

R6020ENXC7G

600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW