رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TC8020K6-G-M937
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
TC8020K6-G-M937-DG
وصف:
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 200V Surface Mount 56-QFN (8x8)
المخزون:
12811151
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TC8020K6-G-M937 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
6 N and 6 P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
56-VFQFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
56-QFN (8x8)
رقم المنتج الأساسي
TC8020
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
تجميع PCN / الأصل
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7379PBF
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
PMDPB65UP,115
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
IRF7316QTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
