TP2510N8-G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TP2510N8-G

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

TP2510N8-G-DG

وصف:

MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 480mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)

المخزون:

17792 قطع جديدة أصلية في المخزون
12822437
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TP2510N8-G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
480mA (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
125 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-243AA (SOT-89)
العبوة / العلبة
TO-243AA
رقم المنتج الأساسي
TP2510

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
TP2510

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
TP2510N8-G-DG
TP2510N8-GDKR
TP2510N8-GCT
TP2510N8-GTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IRF1104PBF

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

nxp-semiconductors

PH9930L,115

MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK56

infineon-technologies

IRFS4227TRLPBF

MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

littelfuse

MMIX1F420N10T

MOSFET N-CH 100V 334A 24SMPD