رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
VN0550N3-G-P013
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
VN0550N3-G-P013-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 50mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
المخزون:
2287 قطع جديدة أصلية في المخزون
12822147
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
VN0550N3-G-P013 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Cut Tape (CT)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50mA (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
55 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
VN0550
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
150-VN0550N3-G-P013TB
150-VN0550N3-G-P013CT
VN0550N3-G-P013-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFR20N120P
MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247
PHB225NQ04T,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
PMV60EN,215
MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB
