رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
VN10KN3-G
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
VN10KN3-G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
المخزون:
6680 قطع جديدة أصلية في المخزون
12808173
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
VN10KN3-G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
310mA (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
رقم المنتج الأساسي
VN10KN3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SN7002NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
SPI16N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3
VN10KN3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
