رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
VN2210N2
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
VN2210N2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 1.7A (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
المخزون:
596 قطع جديدة أصلية في المخزون
12808694
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
VN2210N2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 10mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-39
العبوة / العلبة
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
رقم المنتج الأساسي
VN2210
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
تجميع PCN / الأصل
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2266-VN2210N2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7353D2
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IXFN55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
CPC3902ZTR
MOSFET N-CH 250V SOT223
