VN2210N3-G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

VN2210N3-G

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

VN2210N3-G-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 1.2A (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3

المخزون:

3851 قطع جديدة أصلية في المخزون
12808105
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

VN2210N3-G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.2A (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
350mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 10mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
740mW (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
رقم المنتج الأساسي
VN2210

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
microchip-technology

TP0606N3-G

MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3

infineon-technologies

IRF7726TRPBF

MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

microchip-technology

TN2640N3-G

MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3

infineon-technologies

IRF5210SPBF

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK