VP3203N3-G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

VP3203N3-G

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

VP3203N3-G-DG

وصف:

MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3

المخزون:

1822 قطع جديدة أصلية في المخزون
12810706
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

VP3203N3-G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Bag
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
650mA (Tj)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 10mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
740mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
رقم المنتج الأساسي
VP3203

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
VP3203

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
microchip-technology

VP3203N8-G

MOSFET P-CH 30V 1.1A TO243AA

microchip-technology

TN2130K1-G

MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB

microchip-technology

VN2410L-G

MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3

infineon-technologies

IPI65R099C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3