رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APT10M09B2VFRG
Product Overview
المُصنّع:
Microsemi Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
APT10M09B2VFRG-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
المخزون:
13261425
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APT10M09B2VFRG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
POWER MOS V®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9875 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
T-MAX™ [B2]
العبوة / العلبة
TO-247-3 Variant
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
150-APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG-ND
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
APT10026L2LLG
MOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX
APT50M65JLL
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
APT50M75JLLU2
MOSFET N-CH 500V 51A SOT227
