رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
APT80SM120B
Product Overview
المُصنّع:
Microsemi Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
APT80SM120B-DG
وصف:
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
13261717
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
APT80SM120B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
20V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
+25V, -10V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
555W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
APT80SM120B-ND
150-APT80SM120B
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
APT22F80S
MOSFET N-CH 800V 23A D3PAK
APT48M80B2
MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX
APT47N65SCS3G
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
