رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JANTX2N6250T1
Product Overview
المُصنّع:
Microsemi Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
JANTX2N6250T1-DG
وصف:
TRANS NPN 275V 10A TO254AA
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 275 V 10 A 6 W Through Hole TO-254AA
المخزون:
12953998
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JANTX2N6250T1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
10 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
275 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 1.25A, 10A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
8 @ 10A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
6 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/510
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
حزمة جهاز المورد
TO-254AA
رقم المنتج الأساسي
2N6250
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
1086-16188-DG
1086-16188-MIL
150-JANTX2N6250T1
1086-16188
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC558B
BJT TO-92 30V 100MA PNP 0.5W 150
ZXTN25012EFLTA
TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
MPSA56
BJT TO-92 80V 500MA PNP 0.625W 1
