رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JANTX2N6251T1
Product Overview
المُصنّع:
Microsemi Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
JANTX2N6251T1-DG
وصف:
TRANS NPN 350V 10A TO254AA
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 10 A 6 W Through Hole TO-254AA
المخزون:
12926895
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JANTX2N6251T1 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
10 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
350 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 1.67A, 10A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
6 @ 10A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
6 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/510
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
حزمة جهاز المورد
TO-254AA
رقم المنتج الأساسي
2N6251
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
1086-16192-MIL
150-JANTX2N6251T1
1086-16192
1086-16192-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANTX2N2432A
TRANS NPN 45V 0.1A TO18
JANTX2N2904AL
TRANS PNP 60V 0.6A TO5
JAN2N3507A
TRANS NPN 50V 3A TO39