JANTXV2N6790U
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

JANTXV2N6790U

Product Overview

المُصنّع:

Microsemi Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

JANTXV2N6790U-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 2.8A (Tc) 800mW (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)

المخزون:

12928364
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

JANTXV2N6790U المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
800mW (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/555
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
18-ULCC (9.14x7.49)
العبوة / العلبة
18-CLCC

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
JANTXV2N6790U-DG
150-JANTXV2N6790U
JANTXV2N6790U-MIL

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH2R408QM,L1Q

MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP

microsemi

JAN2N6849U

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

microsemi

JANTXV2N6760

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA

onsemi

NVB6412ANT4G

MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3