رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BST82,235
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BST82,235-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
المخزون:
20973 قطع جديدة أصلية في المخزون
12831677
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BST82,235 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
190mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
40 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
830mW (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BST82
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
933733110235
1727-BST82,235TR
5202-BST82,235TR
BST82,235-DG
1727-BST82,235CT
1727-BST82,235DKR
BST82 /T3-DG
BST82 /T3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZVN3310FTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
6862
DiGi رقم الجزء
ZVN3310FTA-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSS123LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
217861
DiGi رقم الجزء
BSS123LT1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PHP18NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
BUK9275-100A,118
MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
BUK96180-100A,118
MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
