رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK6Y25-40PX
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK6Y25-40PX-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 38A LFPAK56
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 38A (Ta) 66W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
12830889
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK6Y25-40PX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
38A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1591 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
66W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
BUK6Y25-40PX-DG
934660237115
1727-7658-1
1727-7658-2
1727-7658-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQJ443EP-T1_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4185
DiGi رقم الجزء
SQJ443EP-T1_GE3-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SQD90P04-9M4L_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1051
DiGi رقم الجزء
SQD90P04-9M4L_GE3-DG
سعر الوحدة
1.06
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK662R5-30C,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
BUK964R4-40B,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
PMZB790SN,315
MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
