الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK7618-55,118
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK7618-55,118-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 57A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 57A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12830665
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK7618-55,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
57A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
BUK7618-55
مخططات البيانات
BUK7618-55,118
ورقة بيانات HTML
BUK7618-55,118-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
BUK7618-55 /T3
2156-BUK7618-55,118-1727
934045250118
BUK7618-55 /T3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFZ44NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
22314
DiGi رقم الجزء
IRFZ44NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFZ46NSTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
172
DiGi رقم الجزء
IRFZ46NSTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.64
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB55NF06T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB55NF06T4-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB60NF06LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
773
DiGi رقم الجزء
STB60NF06LT4-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMPB15XPH
MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
PSMN4R3-80ES,127
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
PSMN2R9-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
BUK758R3-40E,127
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB