رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK7E1R9-40E,127
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK7E1R9-40E,127-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 324W (Tc) Through Hole I2PAK
المخزون:
12828249
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK7E1R9-40E,127 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
324W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I2PAK
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
568-10286
568-10286-5-DG
NEXNEXBUK7E1R9-40E,127
934066982127
2156-BUK7E1R9-40E,127-NEX
BUK7E1R9-40E,127-DG
568-10286-DG
568-10286-5
1727-1131
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPI120N04S402AKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
500
DiGi رقم الجزء
IPI120N04S402AKSA1-DG
سعر الوحدة
1.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STI270N4F3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
888
DiGi رقم الجزء
STI270N4F3-DG
سعر الوحدة
2.55
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN7R8-120PSQ
MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
PMPB40SNA,115
MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
BUK764R0-40E,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
