الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PEMH13,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PEMH13,115-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
المخزون:
8000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12829036
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PEMH13,115 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
100mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-666
رقم المنتج الأساسي
PEMH13
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PEMH13
مخططات البيانات
PEMH13,115
ورقة بيانات HTML
PEMH13,115-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
934056872115
568-11267-6-DG
2166-PEMH13,115-1727
568-11267-6
568-11267-1
568-11267-2
PEMH13 T/R-DG
1727-1725-1
1727-1725-2
1727-1725-6
PEMH13 T/R
568-11267-2-DG
PEMH13,115-DG
5202-PEMH13,115TR
568-11267-1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NSBC143ZDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
15499
DiGi رقم الجزء
NSBC143ZDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDC143TH-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDC143TH-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN1901FETE85LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
RN1901FETE85LF-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN4986FE,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3745
DiGi رقم الجزء
RN4986FE,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN4906FE,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
RN4906FE,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PQMH2Z
TRANS PREBIAS 2NPN DFN1010B-6
PUMD3,135
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
UMH2N-TP
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363
PEMB3,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666