رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PEMH16,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PEMH16,115-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
المخزون:
12827541
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PEMH16,115 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-666
رقم المنتج الأساسي
PEMH16
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
NEXNXPPEMH16,115
1727-PEMH16,115TR
5202-PEMH16,115TR
934058929115
2156-PEMH16,115-NEX
PEMH16 T/R
1727-PEMH16,115DKR
1727-PEMH16,115CT
PEMH16,115-DG
PEMH16 T/R-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NSBC124XDXV6T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1962
DiGi رقم الجزء
NSBC124XDXV6T1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
RN1908FE(TE85L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
RN1908FE(TE85L,F)-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PEMB9,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
PEMH1,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
PUMH10,125
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
