رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PEMH9,315
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PEMH9,315-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
المخزون:
8000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12832774
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PEMH9,315 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
10kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
100mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-666
رقم المنتج الأساسي
PEMH9
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
1727-PEMH9,315DKR
5202-PEMH9,315TR
PEMH9,315-DG
1727-PEMH9,315TR
934056769315
1727-PEMH9,315CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN1907FE,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
307
DiGi رقم الجزء
RN1907FE,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EMH59T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
EMH59T2R-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
EMH9T2R
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
11410
DiGi رقم الجزء
EMH9T2R-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PUMB1,135
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
BCR108SE6433HTMA1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
PEMB15,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
