رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PHB45NQ10T,118
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PHB45NQ10T,118-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
5193 قطع جديدة أصلية في المخزون
12899736
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PHB45NQ10T,118 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
47A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
PHB45NQ10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
PHB45NQ10T118
934055802118
5202-PHB45NQ10T,118TR
568-5943-6
PHB45NQ10T,118-DG
1727-4766-1
1727-4766-2
1727-4766-6
568-5943-2
568-5943-6-DG
PHB45NQ10T /T3
568-5943-1-DG
568-5943-2-DG
568-5943-1
PHB45NQ10T /T3-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMP2004TK-7
MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
TSM15N50CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO220
TSM3446CX6 RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 5.3A SOT26
