رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMV25ENEAR
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMV25ENEAR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 5.5A (Ta) 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Surface Mount TO-236AB
المخزون:
1453 قطع جديدة أصلية في المخزون
12829737
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMV25ENEAR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
597 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
460mW (Ta), 6.94W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
PMV25
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1727-2528-6-DG
568-12967-1
568-62967-6-DG
1727-PMV25ENEARDKR
1727-2528-2
934068716215
1727-2528-6
1727-PMV25ENEARCT
568-12967-2-DG
568-62967-6
5202-PMV25ENEARTR
PMV25ENEAR-DG
568-12967-1-DG
1727-2528-1
1727-PMV25ENEARTR
568-12967-6-DG
2156-PMV25ENEAR
1727-2528-2-DG
1727-2528-1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7M15-40HX
MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33
PSMN050-80BS,118
MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
BUK663R5-30C,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK